IRGB4615DPBF, IGBT Chip N-Channel 600V

PartNumber: IRGB4615DPBF
Ном. номер: 8032194846
Производитель: International Rectifier
IRGB4615DPBF, IGBT Chip N-Channel 600V
Доступно на заказ 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
200 × = 1 000
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 10 шт. — 160 руб.

Описание

Single IGBT over 21A, International Rectifier
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon IRGB4615DPBF, IGBT Transistor, 23 A 600 V, 8 → 30kHz, 3-Pin TO-220AB

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
23 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
99 Вт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Тип корпуса
TO-220AB
Число контактов
3
Скорость переключения
8 → 30кГц
Ширина
4.83mm
Емкость затвора
535
Высота
16.51mm
Длина
10.67mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IGBT Chip N-Channel 600V 23A TO-220AB