IRGB6B60KPBF, БТИЗ транзистор, 13 А, 1.8 В, 90 Вт, 600 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

PartNumber: IRGB6B60KPBF
Ном. номер: 8100676578
Производитель: Infineon Technologies
IRGB6B60KPBF, БТИЗ транзистор, 13 А, 1.8 В ...
Доступно на заказ 32 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
160 × = 160
от 25 шт. — 121 руб.

Описание

The IRGB6B60KPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor features low VCE (on) non-punch through IGBT technology and excellent current sharing in parallel operation.

• Square RBSOA
• Positive VCE (on) temperature coefficient
• Rugged transient performance
• Low EMI
• 10µs Short-circuit capability

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Код: 8650837

Технические параметры

DC Ток Коллектора
13А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.8В
Рассеиваемая Мощность
90Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220AB
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet IRGB6B60KPBF