IRGP6690DPBF, IGBT,IRGP6690DPBF

PartNumber: IRGP6690DPBF
Ном. номер: 8066820813
Производитель: International Rectifier
IRGP6690DPBF, IGBT,IRGP6690DPBF
Доступно на заказ более 7 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
700 × = 1 400
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 50 шт. — 430 руб.

Описание

Single IGBT over 21A, International Rectifier
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon IRGP6690DPBF, IGBT Transistor, 140 A 600 V, 8 → 30kHz, 3-Pin TO-247AC

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.7мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
140 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
483 Вт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Тип корпуса
TO-247AC
Число контактов
3
Скорость переключения
8 → 30кГц
Ширина
5.31mm
Высота
20.7mm
Длина
15.87mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IRGP6690DPbF, IRGP6690D-EPbF, Insulated Gate ...