IRGPS40B120UDP, IGBT 80A 1.2KV Ultrafast

PartNumber: IRGPS40B120UDP
Ном. номер: 8073963761
Производитель: International Rectifier
IRGPS40B120UDP, IGBT 80A 1.2KV Ultrafast
Доступно на заказ 4 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
1 180 × = 1 180

Описание

Co-Pack IGBT over 21A, International Rectifier
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon IRGPS40B120UDP, IGBT Transistor, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-274AA

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
16.1 x 5.3 x 20.8мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
595 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
TO-274AA
Число контактов
3
Ширина
5.3mm
Высота
20.8мм
Длина
16.1mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IRGPS40B120UDP, Insulated Gate Bipolar ...