IRGPS46160DPBF, IGBT,IRGPS46160DPBF

PartNumber: IRGPS46160DPBF
Ном. номер: 8035440043
Производитель: International Rectifier
IRGPS46160DPBF, IGBT,IRGPS46160DPBF
Доступно на заказ более 4 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
1 100 × = 1 100
от 25 шт. — 860 руб.

Описание

Single IGBT over 21A, International Rectifier
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon IRGPS46160DPBF, IGBT Transistor, 240 A 600 V, 8 → 30kHz, 3-Pin Super-247

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
16.1 x 5.5 x 20.8мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
240 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
750 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
Super-247
Число контактов
3
Скорость переключения
8 → 30кГц
Ширина
5.5mm
Высота
20.8мм
Длина
16.1mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IRGPS46160DPbF, Insulated Gate Bipolar ...