IRGR4607DPBF, IGBT,IRGR4607DPBF

PartNumber: IRGR4607DPBF
Ном. номер: 8046915594
Производитель: International Rectifier
IRGR4607DPBF, IGBT,IRGR4607DPBF
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
130 × = 650
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 75 шт. — 77 руб.
от 150 шт. — 69.07 руб.

Описание

Single IGBT up to 20A, International Rectifier
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response which provide the user with the highest efficiency available. These devices utilise FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBTs

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon IRGR4607DPBF, IGBT Transistor, 11 A 600 V, 8 → 30kHz, 3-Pin DPAK

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
11 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
58 W
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Тип корпуса
DPAK
Число контактов
3
Скорость переключения
8 → 30кГц
Ширина
9.65mm
Высота
4.83mm
Длина
10.67mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

IRGR4607DPbF, IRGS4607DPbF, IRGB4607DPbF ...