IRGS15B60KPBF, IGBT N-Channel 600V 31A D

PartNumber: IRGS15B60KPBF
Ном. номер: 8023395756
Производитель: International Rectifier
IRGS15B60KPBF, IGBT N-Channel 600V 31A D
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
380 × = 1 520
Количество товаров должно быть кратно 4 шт.
от 20 шт. — 290 руб.

Описание

Single IGBT over 21A, International Rectifier
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon IRGS15B60KPBF, IGBT Transistor, 31 A 600 V, 1MHz, 3-Pin D2PAK

Технические параметры

Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
31 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
208 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
D2PAK
Число контактов
3
Скорость переключения
1MHz
Ширина
9.65mm
Емкость затвора
850pF
Высота
4.83mm
Длина
10.67mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

IRGS15B60KPbF, Insulated Gate Bipolar ...