IRGS8B60KPBF, Transistor IGBT N-Ch 600V

PartNumber: IRGS8B60KPBF
Ном. номер: 8028793264
Производитель: International Rectifier
IRGS8B60KPBF, Transistor IGBT N-Ch 600V
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
170 × = 850
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

Single IGBT up to 20A, Infineon
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response which provide the user with the highest efficiency available. These devices utilise FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBTs

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon IRGS8B60KPBF, 28 A 600 V, 3-Pin D2PAK

Технические параметры

Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип монтажа
Surface Mount
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 V
Ширина
9.65mm
Максимальный непрерывный ток коллектора
28 A
Число контактов
3
Конфигурация
Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20
Тип канала
N
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83
Длина
10.67mm
Тип корпуса
D2PAK
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.83mm

Дополнительная информация

IRGS8B60KPBF Data Sheet