Добавить к сравнению Сравнить ()

IRL2203NPBF, Транзистор, N-канал 30В 116А [TO-220AB]

Артикул: IRL2203NPBF
Ном. номер: 23823
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRL2203NPBF, Транзистор, N-канал 30В 116А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRL2203NPBF, Транзистор, N-канал 30В 116А [TO-220AB]Фото 3/3 IRL2203NPBF, Транзистор, N-канал 30В 116А [TO-220AB]
Есть в наличии более 90 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
Ожидается поступление: 27 января 2017 г. — 450 шт.
55 × = 55
от 50 шт. — 53 руб.
от 100 шт. — 40.24 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRL2203NPBF is a 30V single N-channel Advanced HEXFET® Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The power MOSFET is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Fully avalanche rated
• 175°C Operating temperature

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1

Техническая документация

IRL2203N Datasheet
pdf, 224 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRL2203NPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов