Добавить к сравнению Сравнить ()

IRL2910SPBF, Nкан 100В 55А [D2Pak]

Артикул: IRL2910SPBF
Ном. номер: 513130307
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRL2910SPBF, Nкан 100В 55А [D2Pak]
Фото 2/2 IRL2910SPBF, Nкан 100В 55А [D2Pak]
Доступно на заказ 281 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
230 × = 230
от 25 шт. — 197 руб.
от 100 шт. — 134 руб.

Описание

The IRL2910SPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Код: 1463270

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
26
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Datasheet IRL2910SPBF