IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210829.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
от 15 шт. —
249 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 140 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.006 Ом/71А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 | |
| Крутизна характеристики, S | 55 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2621 КБ
Документация
pdf, 1654 КБ
Datasheet IRL3803
pdf, 139 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
