Добавить к сравнению Сравнить ()

IRL510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]

Артикул: IRL510PBF
Ном. номер: 52806
Производитель: Vishay
Фото 1/3 IRL510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRL510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]Фото 3/3 IRL510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
21 × = 21
от 50 шт. — 19 руб.
от 500 шт. — 18 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRL510PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.

• Dynamic dV/dt rating
• -55 to 175°C Operating temperature range
• Repetitive avalanche rated
• Logic-level gate drive
• Ease of paralleling
• RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
540
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2

Техническая документация

IRL510 Datasheet
pdf, 169 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRL510PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов