IRL640PBF, Транзистор, N-канал 200В 17А, [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
от 15 шт. —
236 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
The Vishay Semiconductor third generation power mosfet provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом/10А, 5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
Крутизна характеристики, S | 16 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 2 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 895 КБ
Datasheet
pdf, 890 КБ
IRL640PBF Datasheet
pdf, 929 КБ
Документация
pdf, 1018 КБ
Datasheet IRL640
pdf, 890 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают