Добавить к сравнению Сравнить ()

IRLD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А [HD-1]

Артикул: IRLD110PBF
Ном. номер: 505841151
Производитель: Vishay
Фото 1/3 IRLD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А [HD-1]
Фото 2/3 IRLD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А [HD-1]Фото 3/3 IRLD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А [HD-1]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
23 × = 23
от 50 шт. — 21 руб.
от 500 шт. — 19.50 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRLD110PBF is a 100V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain servers as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable
• Logic level gate drive

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
540
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2

Техническая документация

IRLD110 Datasheet
pdf, 169 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLD110PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов