IRLHS6376TRPBF, MOSFET Dual N-Ch HEXFET 3

PartNumber: IRLHS6376TRPBF
Ном. номер: 8012040318
Производитель: International Rectifier
IRLHS6376TRPBF, MOSFET Dual N-Ch HEXFET 3
Доступно на заказ более 200 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
23 × = 920
Количество товаров должно быть кратно 40 шт.
от 80 шт. — 17 руб.
от 400 шт. — 12.48 руб.

Описание

HEXFET® Dual N-Channel Power MOSFET, International Rectifier

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon IRLHS6376TRPBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 7.6 A, 30 V, 6-Pin PQFN

Технические параметры

Количество элементов на ИС
2
Ширина
2.1mm
Максимальное рассеяние мощности
6.6 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
±12 В
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Число контактов
6
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Типичное время задержки выключения
11 ns
Прямое напряжение диода
1.2V
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичная входная емкость при Vds
270 пФ при -25 В
Конфигурация
Двойной дренаж, двойной затвор, двойной источник
Типичный заряд затвора при Vgs
2.8 нКл при 4.5 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
N
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
4.4 нс
Номер канала
Enhancement
Материал транзистора
Кремний
Размеры
2.1 x 2.1 x 0.95мм
Длина
2.1mm
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Тип корпуса
PQFN
Максимальный непрерывный ток стока
7.6 А
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.95mm
Максимальное сопротивление сток-исток
82 mΩ

Дополнительная информация

IRLHS6376PbF Dual N-channel HEXFET Power MOSFET