Добавить к сравнению Сравнить ()

IRLML5203TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3A logic [Micro3 / SOT-23]

Артикул: IRLML5203TRPBF
Ном. номер: 9000027281
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRLML5203TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3A logic [Micro3 / SOT-23]
Фото 2/4 IRLML5203TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3A logic [Micro3 / SOT-23]Фото 3/4 IRLML5203TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3A logic [Micro3 / SOT-23]Фото 4/4 IRLML5203TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3A logic [Micro3 / SOT-23]
Есть в наличии более 600 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
8 × = 8
от 100 шт. — 7 руб.
от 3000 шт. — 4.87 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах Есть аналоги

Описание

The IRLML5203PBF from International Rectifier is -30V single P channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching, as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications like battery management, portable electronics, PCMCIA cards and ideal for applications where printed circuit board space is at a premium.

• Drain to source voltage (Vds) of -30V
• Gate to source voltage of ±20V
• On resistance Rds(on) of 98mohm at Vgs -10V
• Power dissipation Pd of 1.25W at 25°C
• Continuous drain current Id of -3A at vgs -10V and 25°C
• Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
165
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-2.5

Техническая документация

IRLML5203 Datasheet
pdf, 137 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLML5203TRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов