IRLR2703PBF, МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 30 В, 45 мОм, 10 В, 1 В

PartNumber: IRLR2703PBF
Ном. номер: 8094603157
Производитель: Infineon Technologies
IRLR2703PBF, МОП-транзистор, N Канал, 22 А ...
Доступно на заказ 2080 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
87 × = 87
от 25 шт. — 86 руб.

Описание

The IRLR2703PBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.

• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Logic Level

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 8660131

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
22А
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.045Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
38Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet IRLR2703PBF