Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › No trademark › IRLR2905Z

IRLR2905Z

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3901 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней

230 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 190 руб.

от 10 шт. — 166 руб.

от 100 шт. — 151.25 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 460 руб.

Номенклатурный номер: 8001983274

Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N-CH, 55V, 42A, TO-252AA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:42A, Drain Source Voltage Vds:55V, On Resistance Rds(on):0.011ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power Dissipation, RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Brand	Infineon Technologies
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	2000
Fall Time	33 ns
Forward Transconductance - Min	25 S
Height	2.3 mm
Id - Continuous Drain Current	60 A
Length	6.5 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-252-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	110 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	23 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	13.5 mOhms
Rise Time	130 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	24 ns
Typical Turn-On Delay Time	14 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	55 V
Vgs - Gate-Source Voltage	16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Width	6.22 mm
Вес, г	0.4