Добавить к сравнению Сравнить ()

IRLR3110ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 63А [D-PAK]

Артикул: IRLR3110ZPBF
Ном. номер: 9000092132
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRLR3110ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 63А [D-PAK]
Фото 2/4 IRLR3110ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 63А [D-PAK]Фото 3/4 IRLR3110ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 63А [D-PAK]Фото 4/4 IRLR3110ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 63А [D-PAK]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
60 × = 60
от 50 шт. — 55 руб.
от 500 шт. — 54 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRLR3110ZPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This features combines to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Industrial applications and a wide variety of other applications.

• Fully avalanche rated
• Advanced process technology
• Ultra low on resistance
• Fast switching

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
14
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1…2.5

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet IRLR3110ZPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов