IRLR3410TRPBF, Транзистор N-CH 100V 17A, [D-PAK]
![Фото 1/7 IRLR3410TRPBF, Транзистор N-CH 100V 17A, [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/642/DOC001642673.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
от 15 шт. —
92 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.105 Ом/10А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 | |
| Крутизна характеристики, S | 7.7 | |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2 | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
