IRLR3410TRPBF, Транзистор N-CH 100V 17A [DPAK]

Артикул: IRLR3410TRPBF
Ном. номер: 9000355359
Производитель: International Rectifier
IRLR3410TRPBF, Транзистор N-CH 100V 17A [DPAK]
Доступно на заказ 1928 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
49 × = 49
от 25 шт. — 45 руб.
от 100 шт. — 41 руб.

Описание

The IRLR3410TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.

• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Dynamic dV/dt rating

Код: 2468057

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
17А
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.105Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
79Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252AA
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Техническая документация

irlr3410pbf
pdf, 285 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Datasheet IRLR3410TRPBF