Добавить к сравнению Сравнить ()

IRLR3636PBF, Транзистор N-CH 60V 50A [D-PAK]

Артикул: IRLR3636PBF
Ном. номер: 9000102726
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRLR3636PBF, Транзистор N-CH 60V 50A [D-PAK]
Фото 2/2 IRLR3636PBF, Транзистор N-CH 60V 50A [D-PAK]
Доступно на заказ 6955 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
150 × = 150
от 25 шт. — 104 руб.
от 100 шт. — 64 руб.

Описание

The IRLR3636PBF is a 60V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for DC motor drive, high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.

• Optimized for logic level drive
• Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
• Superior R*Q at 4.5V VGS
• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Код: 1698302

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
6.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
высокоскоростной мощный ключ
Пороговое напряжение на затворе
2.5

Техническая документация

IRLR3636PBF datasheet
pdf, 400 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Datasheet IRLR3636PBF