IRLZ24PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 12А, 60Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

300 руб.

от 3 шт. — 170 руб.

от 10 шт. — 141 руб.

от 50 шт. — 111.88 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.

Номенклатурный номер: 8002549239

Артикул: IRLZ24PBF

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 12А, 60Вт, TO220AB Характеристики

Вид монтажа	Through Hole
Высота	15.49 mm
Длина	10.41 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IRLZ
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm
Base Product Number	IRLZ24 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 5V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 10A, 5V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250ВµA
Вес, г	1.95