IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
от 5 шт. —
411 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Описание Микросхема driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Технические параметры
Конфигурация | Half-Bridge | |
Тип канала | независимый | |
Кол-во каналов | 2 | |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET | |
Напряжение питания, В | 10…20 | |
Логическое напряжение (VIL), В | 6 | |
Логическое напряжение (VIH), В | 9.5 | |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 2.5 | |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 2.5 | |
Тип входа | инвертирующий | |
Максимальное напряжение смещения, В | 500 | |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 25 | |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 17 | |
Рабочая температура, °C | -40…+150(TJ) | |
Корпус | DIP-14(0.300 inch) | |
Вес, г | 1.9 |
Техническая документация
Datasheet IRS2110/IRS2113
pdf, 598 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
С этим товаром покупают