IRS2181SPBF, Двойной драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, 10В-20В, 2.3А, 220нс, SOIC-8

PartNumber: IRS2181SPBF
Ном. номер: 8078664427
Производитель: Infineon Technologies
IRS2181SPBF, Двойной драйвер МОП-транзистора ...
Доступно на заказ 29 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
380 × = 380
от 10 шт. — 219 руб.

Описание

The IRS2181SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low Side Driver with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.

• Floating channel designed for bootstrap operation
• Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
• Under-voltage lockout for both channels
• 3.3 and 5V Input logic compatible
• Matched propagation delay for both channels
• Logic and power ground ±5V offset
• Lower di/dt gate driver for better noise immunity

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Приводы и Контроллеры
Код: 1271810

Технические параметры

Конфигурация Привода
Высокая Сторона и Низкая Сторона
Пиковый Выходной Ток
2.3А
Минимальное Напряжение Питания
10В
Максимальное Напряжение Питания
20В
Стиль Корпуса Привода
SOIC
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Задержка по Входу
180нс
Задержка Выхода
220нс
Минимальная Рабочая Температура
-40°C
Максимальная Рабочая Температура
125°C
Упаковка
Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 2 - 1 год

Дополнительная информация

Datasheet IRS2181SPBF