IS61LV25616AL-10TL, TSOP-44-10.2mm SRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 070 руб.
от 10 шт. —
840 руб.
от 30 шт. —
741 руб.
от 135 шт. —
570.18 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 070 руб.
Описание
SRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (256 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Технические параметры
| Access Time | 10ns |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Memory Format | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 4Mb (256K x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 0В°C ~ 70В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Voltage - Supply | 3.135V ~ 3.6V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ns |
| Время Доступа | 10нс |
| Диапазон Напряжения Питания | 3.135В до 3.6В |
| Количество Выводов | 44вывод(-ов) |
| Конфигурация Памяти SRAM | 256К x 16бит |
| Максимальная Рабочая Температура | 70 C |
| Минимальная Рабочая Температура | 0 C |
| Размер Памяти | 4Мбит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TSOP |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Вес, г | 0.454 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 341 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
