IS66WV51216EBLL-70BLI, SRAM, 8 Мбит, 512К x 16бит, 2.5В до 3.6В, Mini BGA, 48 вывод(-ов), 70 нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
730 руб.
от 25 шт. —
646 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 000 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM
Pseudo SRAM/CellularRAMISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has a SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature which does not require physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance to the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.
Технические параметры
| Время Доступа | 70нс |
| Диапазон Напряжения Питания | 2.5В до 3.6В |
| Количество Выводов | 48вывод(-ов) |
| Конфигурация Памяти SRAM | 512К x 16бит |
| Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Размер Памяти | 8Мбит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | Mini BGA |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Access Time: | 70 ns |
| Brand: | ISSI |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 480 |
| Interface Type: | Parallel |
| Manufacturer: | ISSI |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Memory Size: | 8 Mbit |
| Memory Type: | SDR |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Organization: | 512 k x 16 |
| Package / Case: | TFBGA-48 |
| Product Category: | SRAM |
| Product Type: | SRAM |
| Series: | IS66WV51216EBLL |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Supply Current - Max: | 28 mA |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 2.5 V |
| Type: | Asynchronous |
| Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
