ISL9V5045S3ST-F085, БТИЗ транзистор, 51 А, 1.25 В, 300 Вт, 480 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 200 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
1 050 руб.
от 100 шт. —
807 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 3 600 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
ISL9V5045S3ST_F085 Automotive Ignition IGBT onsemi ISL9V5045S3ST_F085 Automotive Ignition IGBT is a next-generation N-Channel IGBT that offers outstanding SCIS capability in the industry-standard D2-Pak (TO-263) plastic package. This device is intended for use in automotive ignition circuits, specifically as a coil driver. Internal diodes provide voltage clamping without the need for external components. onsemi Automotive Ignition IGBT features include SIIS energy at 500mJ, logic level gate drive, and is qualified to AEC Q101 standards. Typical applications include automotive ignition coil driver circuits, and coil-on-plug applications.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.25В |
Collector Emitter Voltage Max | 480В |
Continuous Collector Current | 51А |
Power Dissipation | 300Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | ECoSPARK |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
Brand: | onsemi/Fairchild |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 480 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.25 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 51 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 43 A |
Factory Pack Quantity: | 800 |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -10 V, 10 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | D2PAK-3 |
Part # Aliases: | ISL9V5045S3ST_F085 |
Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 350 КБ
Datasheet ISL9V5045S3ST-F085
pdf, 352 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары