IXFA22N65X2, Транзистор N-MOSFET 650В 22A 390Вт [TO-263]
![Фото 1/4 IXFA22N65X2, Транзистор N-MOSFET 650В 22A 390Вт [TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 руб.
от 5 шт. —
570 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Maximum Continuous Drain Current | 22 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 145 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 390 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.7V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, X2-Class |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Width | 11.05mm |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
