IXFH21N50, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 500 В, 250 мОм, 10 В, 4 В

PartNumber: IXFH21N50
Ном. номер: 8032397083
Производитель: Ixys
IXFH21N50, МОП-транзистор, N Канал, 21 А ...
Доступно на заказ 23 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
980 × = 980

Описание

The IXFH21N50 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance HDMOS™ process and rugged polysilicon gate cell structure. It is suitable for DC-to-DC converters, synchronous rectification, DC choppers, switched-mode and resonant-mode power supplies.

• International standard packages
• Unclamped inductive switching (UIS) rating
• Low package inductance - Easy to drive and to protect
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• High power surface-mount package
• High power density

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 9359133

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
21А
Напряжение Истока-стока Vds
500В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.25Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
300Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet IXFH21N50