Добавить к сравнению Сравнить ()

IXFH21N50, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 500 В, 250 мОм, 10 В, 4 В

PartNumber: IXFH21N50
Ном. номер: 8032397083
Производитель: Ixys
IXFH21N50, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 500 В, 250 мОм, 10 В, 4 В
Доступно на заказ 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
910 × = 910

Описание

The IXFH21N50 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance HDMOS™ process and rugged polysilicon gate cell structure. It is suitable for DC-to-DC converters, synchronous rectification, DC choppers, switched-mode and resonant-mode power supplies.

• International standard packages
• Unclamped inductive switching (UIS) rating
• Low package inductance - Easy to drive and to protect
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• High power surface-mount package
• High power density

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Рассеиваемая Мощность
300Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
500В
Непрерывный Ток Стока
21А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.25Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet IXFH21N50