IXFH26N50P, Транзистор полевой N-канальный 500В 26А 400Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 320 руб.

от 3 шт. — 1 230 руб.

от 5 шт. — 1 160 руб.

от 9 шт. — 1 100 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 320 руб.

Номенклатурный номер: 8000661945

Артикул: IXFH26N50P

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 500В 26А 400Вт

Корпус	TO-247AD(IXFH)
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	26 A
Maximum Drain Source Resistance	230 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	400 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Series	HiperFET, Polar
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	60 nC @ 10 V
Width	5.3mm
Вес, г	10