IXFH26N50P, MOSFET N-Channel 500V 26A

PartNumber: IXFH26N50P
Ном. номер: 8077136051
Производитель: Ixys
IXFH26N50P, MOSFET N-Channel 500V 26A
Доступно на заказ более 7 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
710 × = 710
от 10 шт. — 450 руб.
от 20 шт. — 386 руб.

Описание

N-Channel Power MOSFET, IXYS 500V to 600V
A range of IXYS N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™), with voltage ratings of 500 to 600V

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
IXYS IXFH26N50P N-channel MOSFET Transistor & Diode, 26 A, 500 V, 3-Pin TO-247

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
16.26 x 5.3 x 21.46mm
высота
21.46mm
длина
16.26mm
Maximum Continuous Drain Current
26 A
Maximum Drain Source Resistance
0.23 Ω
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
400 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-247
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC V @ 10
Typical Input Capacitance @ Vds
3600 pF V @ 25
Typical Turn-Off Delay Time
58 ns
Typical Turn-On Delay Time
20 ns
ширина
5.3mm

Дополнительная информация

Datasheet