IXFH69N30P, MOSFET N-Channel 300V 69A

PartNumber: IXFH69N30P
Ном. номер: 8033227087
Производитель: Ixys
IXFH69N30P, MOSFET N-Channel 300V 69A
Доступно на заказ более 7 шт. Отгрузка со склада в Москве 4-5 недель.
690 × = 690
от 10 шт. — 390 руб.
от 20 шт. — 333.50 руб.

Описание

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 300V 69A TO247

Технические параметры

Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.3mm
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Конфигурация
Single
Тип канала
N
Номер канала
Поднятие
Размеры
16.26 x 5.3 x 21.46
Длина
16.26mm
Максимальное напряжение сток-исток
300 V
Тип корпуса
TO-247
Максимальный непрерывный ток стока
69 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
21.46mm
Максимальное сопротивление сток-исток
0.049 Ω
Максимальное рассеяние мощности
500 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Типичное время задержки выключения
75 нс
Типичная входная емкость при Vds
4960 пФ при 25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
156 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип монтажа
Through Hole
Типичное время задержки включения
25 ns
Материал транзистора
Si

Дополнительная информация

IXFH 69N30P PolarHT HiPerFET Power MOSFET Data Sheet IXFH69N30P
IXFH 69N30P PolarHT HiPerFET Power MOSFET ...