IXFK64N60P3, MOSFET N 600V 64A Polar3

PartNumber: IXFK64N60P3
Ном. номер: 8003017859
Производитель: Ixys
IXFK64N60P3, MOSFET N 600V 64A Polar3
Доступно на заказ более 5 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
950 × = 950
от 5 шт. — 780 руб.
от 10 шт. — 644 руб.

Описание

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N 600V 64A Polar3 HiPerFET TO264

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
19.96 x 5.13 x 26.16мм
Максимальный непрерывный ток стока
64 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.095 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
600 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1130 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-264
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
145 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
9900 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
66 ns
Типичное время задержки включения
43 нс
Ширина
5.13mm
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Высота
26.16mm
Длина
19.96mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IXFK64N60P3, IXFX64N60P3, Polar3 HiperFET ...