IXFP4N60P3, MOSFET N 600V 4A Polar3 H

PartNumber: IXFP4N60P3
Ном. номер: 8039019369
Производитель: Ixys
IXFP4N60P3, MOSFET N 600V 4A Polar3 H
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
150 × = 750
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 10 шт. — 120 руб.
от 50 шт. — 90.20 руб.

Описание

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N 600V 4A Polar3 HiPerFET TO220AB

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.66 x 4.83 x 16мм
Максимальный непрерывный ток стока
4 A
Максимальное сопротивление сток-исток
2.2 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
600 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
114 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220AB
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
6.9 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
365 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
24 ns
Типичное время задержки включения
15 ns
Ширина
4.83mm
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Высота
16mm
Длина
10.66mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IXFP4N60P3, Polar3 HiPerFET Power MOSFET ...