IXFP7N80P, MOSFET N-Channel 800V 7A

PartNumber: IXFP7N80P
Ном. номер: 8036741877
Производитель: Ixys
IXFP7N80P, MOSFET N-Channel 800V 7A
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
310 × = 1 550
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 800V 7A TO220

Технические параметры

Максимальное сопротивление сток-исток
1.44 Ω
Тип канала
N
Номер канала
Поднятие
Размеры
10.66 x 4.83 x 9.15
Длина
10.66mm
Максимальное напряжение сток-исток
800 V
Тип корпуса
TO-220
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.15mm
Максимальное рассеяние мощности
200 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Типичное время задержки выключения
55 нс
Типичная входная емкость при Vds
1890 пФ при 25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
32 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип монтажа
Through Hole
Типичное время задержки включения
28 нс
Материал транзистора
Si
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.83mm
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Конфигурация
Single

Дополнительная информация

IXFP 7N80P PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET ...