IXFQ20N50P3, MOSFET Nch 500V 20A Polar

PartNumber: IXFQ20N50P3
Ном. номер: 8061050353
Производитель: Ixys
IXFQ20N50P3, MOSFET Nch 500V 20A Polar
Доступно на заказ 4 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
430 × = 860
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.

Описание

N-Channel Power MOSFET, IXYS 500V to 600V
A range of IXYS N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™), with voltage ratings of 500 to 600V

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
IXYS IXFQ20N50P3 N-channel MOSFET Transistor, 20 A, 500 V, 3-pin TO-3P

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
15.8 x 4.9 x 20.3mm
высота
20.3mm
длина
15.8mm
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Resistance
0.3 Ω
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
380 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-3P
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
36 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1800 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
43 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
ширина
4.9mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5V

Дополнительная информация

IXFA20N50P3, IXFP20N50P3, IXFQ20N50P3 ...