IXFR24N100Q3, MOSFET 1000V 18A Q3 HiPer

PartNumber: IXFR24N100Q3
Ном. номер: 8046197916
Производитель: Ixys
IXFR24N100Q3, MOSFET 1000V 18A Q3 HiPer
Доступно на заказ более 2 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
1 740 × = 1 740
от 10 шт. — 1 370 руб.
от 20 шт. — 1 199 руб.

Описание

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET 1000V 18A Q3 HiPerFET ISOPLUS247

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.34мм
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.49 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
1000 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
500 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
ISOPLUS247
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
140 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
7200 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
45 ns
Типичное время задержки включения
38 ns
Ширина
5.21mm
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
6.5V
Высота
21.34mm
Длина
16.13mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IXFR24N100Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class ...