IXFR64N50Q3, MOSFET 500V 45A Q3 HiPerF

PartNumber: IXFR64N50Q3
Ном. номер: 8045134327
Производитель: Ixys
IXFR64N50Q3, MOSFET 500V 45A Q3 HiPerF
Доступно на заказ 1 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
1 790 × = 1 790

Описание

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET 500V 45A Q3 HiPerFET ISOPLUS247

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.34мм
Максимальный непрерывный ток стока
45 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.094 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
500 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
ISOPLUS247
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
145 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
6950 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
46 ns
Типичное время задержки включения
36 ns
Ширина
5.21mm
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
6.5V
Высота
21.34mm
Длина
16.13mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IXFR64N50Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class ...