Добавить к сравнению Сравнить ()

IXGH30N60C3C1, БТИЗ транзистор, SIC, 60 А, 3 В, 220 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

PartNumber: IXGH30N60C3C1
Ном. номер: 8093705144
Производитель: Ixys
IXGH30N60C3C1, БТИЗ транзистор, SIC, 60 А ...
Доступно на заказ 27 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
2 490 × = 2 490
от 25 шт. — 2 060 руб.

Описание

The IXGH30N60C3C1 is a GenX3™ high-speed PT IGBT with SiC anti-parallel diode. It is optimized for low switching losses. It is suitable for battery chargers, welding machines and 40 to 100kHz switching applications.

• Square RBSOA
• Anti-parallel Schottky diode
• High power density
• Low gate drive requirement

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Код: 1829731

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Рассеиваемая Мощность
220Вт
DC Ток Коллектора
60А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

Дополнительная информация

Datasheet IXGH30N60C3C1