IXGH72N60B3, IGBT 600V 72A GenX3 B3 Lo

PartNumber: IXGH72N60B3
Ном. номер: 8069177625
Производитель: Ixys
IXGH72N60B3, IGBT 600V 72A GenX3 B3 Lo
Доступно на заказ более 6 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
770 × = 770
от 10 шт. — 410 руб.
от 30 шт. — 365.33 руб.

Описание

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
IXYS IXGH72N60B3, IGBT Transistor, 75 A 600 V, 40kHz, 3-pin TO-247

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
Dimensions
16.26 x 5.3 x 21.46mm
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
75 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
540 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Package Type
TO-247
Pin Count
3
Switching Speed
40kHz
Width
5.3mm
высота
21.46mm
длина
16.26mm
тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

Datasheet