IXTK110N20L2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 200 В, 110 А, 0.024 Ом, TO-264, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт., срок 8-10 недель
9 150 руб.
от 5 шт. —
8 500 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 150 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-channel enhancement mode guaranteed FBSOA avalanche rated LinearL2™ power MOSFET w/extended FBSOA. Suitable for use in solid state circuit breakers, soft start controls, linear amplifiers, programmable loads and current regulators applications.
• Designed for linear operation
• Guaranteed FBSOA at 75°C
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.024Ом |
Power Dissipation | 960Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
Непрерывный Ток Стока | 110А |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-264 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары