IXTK120P20T, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 200 В, 120 А, 0.03 Ом, TO-264, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 8-10 недель
7 430 руб.
от 5 шт. —
6 900 руб.
от 10 шт. —
6 290 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 430 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
P-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic rectifier suitable for use in high-side switches, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators, battery charger applications.
• Extended FBSOA
• Low RDS(ON) and QG
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• Space savings
• High power density
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.03Ом |
Power Dissipation | 1.04кВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
Непрерывный Ток Стока | 120А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
Рассеиваемая Мощность | 1.04кВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.03Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-264 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 229 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары