IXTN200N10L2, MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт., срок 7-9 недель
12 900 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 900 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.011Ом |
| Power Dissipation | 830Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | LinearL2 Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Module |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 178А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-227 |
| Вес, г | 23.59 |
Техническая документация
Datasheet IXTN200N10L2
pdf, 161 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
