IXTN600N04T2, MOSFET, N-CH, 40V, 600A, SOT-227
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт., срок 8-10 недель
10 060 руб.
от 5 шт. —
9 350 руб.
от 10 шт. —
8 530 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 060 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0013Ом |
Power Dissipation | 940Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchT2 GigaMOS Series |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Module |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 600А |
Полярность Транзистора | N Channel |
Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
Рассеиваемая Мощность | 940Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0013Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-227 |
Вес, г | 44.54 |
Техническая документация
Datasheet IXTN600N04T2
pdf, 178 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары