IXTN660N04T4, MOSFET, N-CH, 40V, 660A, SOT-227
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 шт., срок 7-9 недель
8 350 руб.
от 5 шт. —
7 760 руб.
от 10 шт. —
7 080 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 350 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 850мкОм |
| Power Dissipation | 1.04кВт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchT4 Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Module |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 660А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-227 |
| Вес, г | 44.45 |
Техническая документация
Datasheet IXTN660N04T4
pdf, 178 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![IXFN56N90P, Транзистор, Polar HiPerFET, N-канал, 56А, 900В, 0.145Ом, [SOT-227]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288127.jpg)
![Транзистор 2SK1271, тип N, 240 Вт, корпус TO-3P[N] ,NEC](https://static.chipdip.ru/lib/125/DOC011125892.jpg)
