IXTP1R6N50D2, MOSFET, N-CH, 500V, 1.6A, TO-220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
298 шт., срок 8-10 недель
820 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
740 руб.
от 25 шт. —
672 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 280 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 2.3Ом |
| Power Dissipation | 100Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 0В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.6А |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Вес, г | 2.81 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK2225-E, Транзистор, N-канал [TO-3PFM]](https://static.chipdip.ru/lib/547/DOC005547835.jpg)
![2SK2608, Транзистор N-канал 900В 3А 100Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![2SJ162, Транзистор, Р-канал, аудио приложения [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/234/DOC000234969.jpg)
![AFT05MS006NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 6 Вт, 7.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801137.jpg)
![2SK1317-E, Транзистор, N-канал [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/217/DOC000217114.jpg)
