IXTP60N20T, MOSFET, N-CH, 200V, 60A, TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 шт., срок 8-10 недель
1 690 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 480 руб.
от 25 шт. —
1 380 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 380 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.032Ом |
| Power Dissipation | 500Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Trench Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Непрерывный Ток Стока | 60А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Вес, г | 0.91 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5Вт [2-5N1A]](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC000254166.jpg)
![FCA47N60, Транзистор, N-канал 600В 47А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IPW60R099C6FKSA1 (6R099C6), Транзистор MOSFET N-канал 600В 37.9А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![IRFP4668PBF, Транзистор, N-канал 200В 130А [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307909.jpg)
