Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Littelfuse › IXTT16P60P, MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268

IXTT16P60P, MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

172 шт., срок 8-10 недель

3 500 руб.

от 5 шт. — 3 280 руб.

от 10 шт. — 3 110 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 500 руб.

Номенклатурный номер: 8008006644

Артикул: IXTT16P60P

Бренд: Littelfuse

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268; Channel; MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:16A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V

Технические параметры

Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.72Ом
Power Dissipation	460Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	PolarP Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	16А
Полярность Транзистора	P Channel
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	460Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.72Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-268(D3PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Unlimited
Brand	IXYS
Channel Mode	Enhancement
Factory Pack Quantity	30
Fall Time	38 ns
Forward Transconductance - Min	11 S
Height	5.1 mm
Id - Continuous Drain Current	-16 A
Length	14 mm
Manufacturer	IXYS
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-268-2
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	460 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	92 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	720 mOhms
Rise Time	25 ns
RoHS	Details
Series	IXTT16P60
Technology	Si
Tradename	PolarP
Transistor Polarity	P-Channel
Transistor Type	1 P-Channel
Type	PolarP Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	60 ns
Typical Turn-On Delay Time	29 ns
Unit Weight	0.158733 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	-600 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	-4 V
Width	16.05 mm
Вес, г	5.5