IXTT220N20X4HV
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт., срок 8-10 недель
4 600 руб.
от 5 шт. —
4 270 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 600 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
The Littlefuse IXTT220N20X4HV MOSFETs are designed with the latest Ultra Junction technology for high efficiency power applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 220 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0055 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-268-3 |
| Pin Count | 3 |
| Series | X4 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]](https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC005894901.jpg)
